¿Cuál es la diferencia entre CC, FI y RF en la pulverización catódica?

El surgimiento y la aplicación de la tecnología de pulverización catódica han pasado por varias etapas. Tras más de 30 años de desarrollo, la pulverización catódica por magnetrón se ha convertido en un método irremplazable para películas delgadas ópticas, eléctricas y otras funciones. ¿Cuánto sabe sobre ella?

La pulverización catódica por magnetrón se refiere a la introducción de un campo magnético entre los dos polos de un campo eléctrico externo. Si bien los electrones se ven afectados por la fuerza del campo eléctrico, también están ligados por la fuerza magnética de Lorentz, que cambia su trayectoria de movimiento de la línea recta original a una cicloide, aumentando así la probabilidad de que los electrones de alta velocidad colisionen con las moléculas de argón, lo que puede aumentar considerablemente el grado de ionización de estas moléculas y, por consiguiente, reducir la presión del gas de trabajo. Bajo la aceleración del campo eléctrico de alto voltaje, los iones de Ar bombardean la superficie del material objetivo, provocando que más átomos o moléculas en la superficie del material objetivo se desprendan de la red original y salpiquen hacia el sustrato. El impacto y la precipitación a alta velocidad sobre el sustrato forman una película delgada. La pulverización catódica por magnetrón se caracteriza por una alta tasa de formación de película, baja temperatura de lámina, buena adhesión de la película y un recubrimiento de gran superficie.

La pulverización catódica por magnetrón se divide en pulverización catódica de CC, pulverización catódica de frecuencia media y pulverización catódica de radiofrecuencia:

1. Pulverización catódica de CC: Se utiliza un campo eléctrico de CC para acelerar los iones de gas y bombardear el material objetivo, de modo que los átomos objetivo se pulverizan y se depositan sobre el sustrato para formar una película delgada. El principio del equipo de pulverización catódica de CC es simple y su velocidad también es alta al pulverizar metales.

2. Pulverización catódica de media frecuencia: Se utiliza una fuente de alimentación de CA con una frecuencia de entre decenas y cientos de kHz para transferir energía al plasma mediante acoplamiento capacitivo o inductivo. La energía de bombardeo de los iones es mayor que la de la pulverización catódica de CC, lo que permite una velocidad de deposición más estable y uniforme, y es adecuada para la preparación de películas de alta calidad.

3. Pulverización catódica por radiofrecuencia: Se utiliza potencia de radiofrecuencia para ionizar el material objetivo, lo que genera un plasma más estable. La energía de bombardeo de iones es mayor que la de la pulverización catódica de media frecuencia. Se puede pulverizar todo tipo de materiales objetivo, incluyendo materiales conductores, semiconductores y aislantes. Prácticamente no se producen arcos eléctricos y la película es de alta calidad.

Instrumento de pulverización catódica con magnetrón de tres objetivosEl equipo fabricado por nuestra empresa está equipado con tres pistolas de objetivo y tres fuentes de alimentación: una fuente de alimentación de RF para el recubrimiento por pulverización catódica de materiales no conductores, una fuente de alimentación de CC para el recubrimiento por pulverización catódica de materiales conductores y un objetivo magnético potente opcional para el recubrimiento por pulverización catódica de materiales ferromagnéticos. En comparación con equipos similares,Instrumento de pulverización catódica con magnetrón de tres objetivos Ofrece las ventajas de su pequeño tamaño y fácil manejo, además de su amplia gama de materiales. Permite preparar películas ferroeléctricas monocapa o multicapa, películas conductoras, películas de aleación, películas semiconductoras, películas cerámicas, películas dieléctricas, películas ópticas, películas de óxido, películas duras, películas de politetrafluoroetileno, etc.Instrumento de pulverización catódica con magnetrón de tres objetivosiEs un equipo ideal para preparar diversas películas de materiales en el laboratorio.