¿Cómo recubrir obleas de silicio utilizando el recubridor termostático por inmersión de grado nanométrico PTL-NMB?
En la investigación de materiales modernos y la fabricación de semiconductores, la tecnología de preparación y recubrimiento de películas delgadas es crucial. Especialmente en el campo del recubrimiento de películas delgadas con precisión nanométrica, PTL-NMBRecubrimiento por inmersión termostático de grado nanométricoEl extractor de nanómetros PTL-NMB, como equipo de precisión, se ha convertido en una herramienta importante en la investigación y las aplicaciones industriales. Este artículo presentará en detalle cómo utilizar el extractor de nanómetros PTL-NMB para recubrir obleas de silicio.
El objetivo principal de este experimento es utilizarRecubrimiento por inmersión termostático de grado nanométrico Recubrir obleas de silicio por ambos lados y observar la deposición de películas delgadas sobre la superficie de las obleas de silicio. Como sustrato importante en la investigación de semiconductores, la calidad del recubrimiento de la superficie de las obleas de silicio afecta directamente el efecto del proceso posterior. Por lo tanto, el uso de métodos de recubrimiento controlados con precisión, como el recubridor de tracción nanométrica, puede hacer que el recubrimiento sea uniforme y preciso.
Pasos experimentales:
1. Limpieza de obleas de silicio:
Antes de comenzar el experimento, es necesario limpiar a fondo la oblea de silicio. Sumerja la oblea de silicio en agua desionizada para mantener la superficie de la muestra libre de contaminantes externos. A continuación, elimine las manchas de agua con acetona, límpiela a fondo con agua desionizada y utilice el limpiador de plasma PCE-6V para grabar con plasma la oblea de silicio durante 10 minutos. Después del grabado, la oblea de silicio debe evitar exponerse al aire durante más de 30 minutos, de lo contrario, el estado de la superficie puede fallar y afectar la adhesión de la película.
2. Configuración de parámetros:
Vierta el material líquido en un recipiente de material de 150 ml y monte la oblea de silicio en el dispositivo de muestra para prepararla para el recubrimiento. En el experimento, primero se sumerge completamente la oblea de silicio en la solución. Luego, la velocidad de tracción se establece en 100 nm/s y la altura de tracción se establece en 50 mm en el recubridor por inmersión termostático de grado nanométrico. Según los cálculos, todo el proceso de tracción lleva aproximadamente 139 horas.
3. Proceso de recubrimiento:
Durante el proceso de recubrimiento, la oblea de silicio se controla mediante el extractor y la solución se extrae gradualmente de la superficie del sustrato para formar una película uniforme. Debido a que la velocidad de trabajo del extractor es muy fina, el proceso de deposición de la película es muy estable y la película finalmente recubierta sobre la superficie de la oblea de silicio tiene buena uniformidad y consistencia.
Mediante el uso de laRecubrimiento por inmersión termostático de grado nanométricoLos investigadores pueden recubrir con precisión la superficie de la oblea de silicio por ambos lados y controlar el espesor y la calidad de la película. Los resultados experimentales muestran que durante el proceso de recubrimiento, la deposición de la película es uniforme y cumple con los requisitos de precisión a nivel nanométrico, lo que la hace adecuada para la investigación sobre semiconductores y nanomateriales.